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新闻详情
三菱igbt的使用注意事项
日期：2025-07-01 23:31
浏览次数：878
摘要：
由于IGBT?？槲狹OSFET结构，三菱igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
在使用?？槭保×坎灰檬执ッ俗硬糠?，当必须要触摸?？槎俗邮保冉颂寤蛞路系木驳缬么蟮缱杞拥亟蟹诺绾?，再触摸； 在用导电材料连接?？榍俗邮?，在配线未接好之前请先不要接上?？椋?尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压，但栅...
由于IGBT模块为MOSFET结构，三菱igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
在使用?？槭?，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸?？槎俗邮?，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接?？榍俗邮?，在配线未接好之前请先不要接上?？椋?尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用三菱igbt的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT?？槭?，应十分重视IGBT?？橛肷⑷绕慕哟ッ孀刺团〗舫潭?。为了减少接触热阻，好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不好时将导致IGBT?？榉⑷?，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
