西门康IGBT?？榈氖褂盟得?/h1>

日期：2025-06-30 14:50

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摘要： 由于西门康IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一?！∫虼耸褂弥幸⒁庖韵录傅悖? 1. 在使用?？槭保×坎灰檬执ッ俗硬糠?，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上?？? 3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 ...

  

       由于西门康IGBT?？?/a>为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点：

       1. 在使用?？槭保×坎灰檬执ッ俗硬糠?，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;

       2. 在用导电材料连接?？榍俗邮保谂湎呶唇雍弥扒胂炔灰由夏？?

       3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

       在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

       此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。

       在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

       在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，好在散热器与IGBT?？榧渫磕ǖ既裙柚?。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不好时将导致IGBT?？榉⑷?，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT?？榈牡胤桨沧坝形露雀杏ζ鳎蔽露裙呤苯ň蛲Ｖ笽GBT?？楣ぷ?。

       1. 一般保存IGBT?？榈某∷?，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;

       2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;

       3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT?？楸砻婵赡苡薪崧端南窒?，因此IGBT?？橛Ψ旁谖露缺浠闲〉牡胤?

       4. 保管时，须注意不要在IGBT?？樯隙逊胖匚?

       5. 装IGBT?？榈娜萜?，应选用不带静电的容器。

       6. 检测IGBT模块的的办法。

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