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日期:2025-06-30 21:04
浏览次数:728
摘要:
现阶段igbt??樵牧鲜枪璋氲继?,已使用二十余载,,抗压为6500伏,电流为3600安,不能完成很大突破。因此,行业内公认igbt??榧际跸纸锥我呀咏舛ァ?
但,对半导体行业,需求并不是根本,技术升级才能是掌握投资机会的主轴,一旦技术出现迭代,需求将不会出现线性增长的状态。现阶段,igbt??樵谛履茉闯敌幸?,就遭受了这个挑战。业内人士广泛认为,硅基igbt模块逼近原材料特性,技术升级势在必行。所以,以后碳化硅(SiC)半导体在一定行业和行业,包含电动汽车,会完成对硅半导体的很大更换。
SiC和G...
现阶段igbt模块原材料是硅半导体,已使用二十余载,,抗压为6500伏,电流为3600安,不能完成很大突破。因此,行业内公认igbt??榧际跸纸锥我呀咏舛ァ?
但,对半导体行业,需求并不是根本,技术升级才能是掌握投资机会的主轴,一旦技术出现迭代,需求将不会出现线性增长的状态。现阶段,igbt??樵谛履茉闯敌幸担驮馐芰苏飧鎏粽?。业内人士广泛认为,硅基igbt??楸平牧咸匦?,技术升级势在必行。所以,以后碳化硅(SiC)半导体在一定行业和行业,包含电动汽车,会完成对硅半导体的很大更换。
SiC和GaN是第3代半导体材质,与半导体材质相比较,第3代半导体材质具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适用于制做高温、高频、抗辐射及大功率器件,一般又被称作宽禁带半导体材质。
但,限制SiC用处的因素是成本费太高,产品参数也并不稳定。目前SiC芯片成本费是igbt??榈?-5倍,但业界预计SiC成本费三年内能够 降低到2倍左右。所以,业内也有声音觉得,未来随之第3代半导体的成本费快速降低,igbt??榫涂赡芑峤徊奖?代半导体取代。
实际上,目前已经有厂家開始这么做了。2018年,特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET??榇媪薸gbt模块,比照硅基的igbt??樾侥芄?提升 5~10%,这也被觉得是第3代半导体首先開始取代igbt??榈拿缤贰?
国金证券研报讲解,未来igbt??榻蚋偷目厮鸷?、更高的电流密度和更高的工作温度发展,随之数万伏高压、高过500℃的高温、高频、大功率等要求的提出,硅基igbt??榈男阅芤丫咏闹市阅軜O限,所以碳化硅(SiC)基igbt模块将站上历史舞台。
短期来讲,受限于成本费问题,未来3-5年igbt??橹匾挠τ谩5蠢此嬷甋iC成本费的降低,稳定性逐步提升 ,达到高量产,那个时候,igbt模块的未来是不是会岌岌可危?
无论何时何地,只有把握核心技术方能占领行业话语权!与其他国产半导体相同,做为国产新能源汽车核心的igbt??橥媪僮疟还饪刂频拿耍谙质得媲埃挥锌焖俅锏焦娲?,这样,在面对未来时,我们才有更足的底气和更大的赢面。
日期:2025-06-30 21:04
浏览次数:728
摘要:
现阶段igbt??樵牧鲜枪璋氲继?,已使用二十余载,,抗压为6500伏,电流为3600安,不能完成很大突破。因此,行业内公认igbt??榧际跸纸锥我呀咏舛ァ?
但,对半导体行业,需求并不是根本,技术升级才能是掌握投资机会的主轴,一旦技术出现迭代,需求将不会出现线性增长的状态。现阶段,igbt??樵谛履茉闯敌幸?,就遭受了这个挑战。业内人士广泛认为,硅基igbt模块逼近原材料特性,技术升级势在必行。所以,以后碳化硅(SiC)半导体在一定行业和行业,包含电动汽车,会完成对硅半导体的很大更换。
SiC和G...
现阶段igbt模块原材料是硅半导体,已使用二十余载,,抗压为6500伏,电流为3600安,不能完成很大突破。因此,行业内公认igbt??榧际跸纸锥我呀咏舛ァ?
但,对半导体行业,需求并不是根本,技术升级才能是掌握投资机会的主轴,一旦技术出现迭代,需求将不会出现线性增长的状态。现阶段,igbt??樵谛履茉闯敌幸担驮馐芰苏飧鎏粽?。业内人士广泛认为,硅基igbt??楸平牧咸匦?,技术升级势在必行。所以,以后碳化硅(SiC)半导体在一定行业和行业,包含电动汽车,会完成对硅半导体的很大更换。
SiC和GaN是第3代半导体材质,与半导体材质相比较,第3代半导体材质具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适用于制做高温、高频、抗辐射及大功率器件,一般又被称作宽禁带半导体材质。
但,限制SiC用处的因素是成本费太高,产品参数也并不稳定。目前SiC芯片成本费是igbt??榈?-5倍,但业界预计SiC成本费三年内能够 降低到2倍左右。所以,业内也有声音觉得,未来随之第3代半导体的成本费快速降低,igbt??榫涂赡芑峤徊奖?代半导体取代。
实际上,目前已经有厂家開始这么做了。2018年,特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET??榇媪薸gbt模块,比照硅基的igbt??樾侥芄?提升 5~10%,这也被觉得是第3代半导体首先開始取代igbt??榈拿缤贰?
国金证券研报讲解,未来igbt??榻蚋偷目厮鸷?、更高的电流密度和更高的工作温度发展,随之数万伏高压、高过500℃的高温、高频、大功率等要求的提出,硅基igbt??榈男阅芤丫咏闹市阅軜O限,所以碳化硅(SiC)基igbt模块将站上历史舞台。
短期来讲,受限于成本费问题,未来3-5年igbt??橹匾挠τ谩5蠢此嬷甋iC成本费的降低,稳定性逐步提升 ,达到高量产,那个时候,igbt模块的未来是不是会岌岌可危?