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新闻详情
英飞凌igbt模块的使用事项
日期:2025-07-01 19:46
浏览次数:630
摘要:
由于英飞凌igbt??槲狹OSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一?!∫虼耸褂弥幸⒁庖韵录傅悖?
1. 在使用??槭?,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;
2. 在用导电材料连接??榍俗邮?,在配线未接好之前请先不要接上???
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
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由于英飞凌igbt???/a>为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意以下几点:
1. 在使用??槭保×坎灰檬执ッ俗硬糠?,当必须要触摸??槎俗邮?,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;
2. 在用导电材料连接??榍俗邮保谂湎呶唇雍弥扒胂炔灰由夏??
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合,当栅极回路不正?;蛘ぜ芈匪鸹凳?栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
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