产品目录 PRODUCT
- IGBT模块
- 英飞凌IGBT???/span>
- 英飞凌整流桥
- 英飞凌二极管
- 英飞凌可控硅
- 英飞凌???/span>
- ABB???/span>
- ABB可控硅
- ABB变频器维修配件
- 西门康???/span>
- 西门康IGBT???/span>
- 西门康IGBT智能???/span>
- 西门康大功率???/span>
- 西门康二极管
- 西门康整流桥
- 西门康可控硅???/span>
- 西门子IGBT???/span>
- 西门子可控硅
- 西门子变频器配件
- 三菱IGBT???/span>
- 三菱整流桥
- 三菱GTR??椋ù锪侄伲?/span>
- 三菱IPM智能???/span>
- 三菱IGBT快恢复二极管???/span>
- 三菱IGBT可控硅???/span>
- 三菱PIM整流逆变集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE???/span>
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二极管
- EUPEC整流桥
- IXYS 整流桥
- IXYS可控硅
- IXYS二极管
- 富士IGBT
- 富士整流桥
- 富士IGBT可控硅
- 富士变频器维修配件
- 富士IPM智能???/span>
- 富士IGBT二极管???/span>
- 富士GTR模块(达林顿)
- 东芝IGBT
- 东芝可控硅???/span>
- 东芝智能型IGBT
- 东芝GTR??椋ù锪侄伲?/span>
- 东芝复合模块PIM
- 东芝二极管???/span>
- 瑞士驱动模块
- 二极管
- 三社二极管
- 三社达林顿???/span>
- 三社可控硅模块
- 三社整流桥
- 西班牙厂家整流桥
- 三垦IGBT???/span>
- 三垦GTR??椋ù锪侄伲?/span>
- 三垦智能型IPM
- IR IGBT模块
- 西玛可控硅
- 罗兰快速熔断器
- 富士熔断器
- 美国BUSSMAN快熔
- 电解电容 高频无感电容
- 光耦
- 场效应模块
- IR可控硅
新闻详情
igbt??槭鞘裁?/h1>
日期:2025-06-30 22:03
浏览次数:513
摘要:
igbt??槭鞘裁?
动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
igbt??榈目靥匦允侵嘎┘缌饔肼┰吹缪怪涞墓叵怠GBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Ro...
igbt模块是什么
动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
igbt??榈目靥匦允侵嘎┘缌饔肼┰吹缪怪涞墓叵?。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ~ 3V 。IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。
igbt??樵诳ü讨?,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降过程后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间,tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
尊敬的客户:
本公司还有英飞凌igbt、英飞凌??椤?a href="http://www.mnm604.cn/pdlistone/listfirst/2829628/1.html" class="keyword_inherit" name="keyword_inherit" target="_blank">西门康IGBT???/a>等产品,您可以通过网页拨打本公司的服务电话了解更多产品的详细信息,至善至美的服务是我们的追求,欢迎新老客户放心选购自己心仪产品,我们将竭诚为您服务!
下一篇:
三菱igbt保管注意事项
日期:2025-06-30 22:03
浏览次数:513
摘要:
igbt??槭鞘裁?
动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
igbt??榈目靥匦允侵嘎┘缌饔肼┰吹缪怪涞墓叵怠GBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Ro...
igbt模块是什么
动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
igbt??榈目靥匦允侵嘎┘缌饔肼┰吹缪怪涞墓叵?。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ~ 3V 。IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。
igbt??樵诳ü讨?,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降过程后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间,tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
尊敬的客户:
本公司还有英飞凌igbt、英飞凌??椤?a href="http://www.mnm604.cn/pdlistone/listfirst/2829628/1.html" class="keyword_inherit" name="keyword_inherit" target="_blank">西门康IGBT???/a>等产品,您可以通过网页拨打本公司的服务电话了解更多产品的详细信息,至善至美的服务是我们的追求,欢迎新老客户放心选购自己心仪产品,我们将竭诚为您服务!