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英飞凌??榘捶庾肮ひ辗掷?/h1>
日期:2025-07-02 02:25
浏览次数:624
摘要:
IGBT??榘捶庾肮ひ绽纯粗饕煞治附邮接胙菇邮搅嚼唷8哐笽GBT??橐话阋员曜己附邮椒庾拔鳎械脱笽GBT??樵虺鱿至撕芏嘈录际酰缟战崛〈附?,压力接触取代引线键合的压接式封装工艺。
随着IGBT芯片技术的不断发展,芯片的*高工作结温与功率密度不断提高, IGBT??榧际跻惨胫嗍视ΑN蠢碔GBT??榧际踅?芯片背面焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进。模块技术发展趋势:
无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技术;
内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件,不断提高IGBT??榈墓β拭芏?、集成度及智能度。
英飞凌??榇咏峁股辖玻琁GBT主要有三个发展方向:
1)IGBT纵向结构:非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;
2)IGBT栅极结构:平面栅机构、Trench沟槽型结构;
3)硅片加工工艺:外延生长技术、区熔硅单晶;
其发展趋势是:①降低损耗 ②降低生产成本
总功耗= 通态损耗 (与饱和电压 VCEsat有关)+开关损耗 (Eoff Eon)。同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。
日期:2025-07-02 02:25
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摘要:
随着IGBT芯片技术的不断发展,芯片的*高工作结温与功率密度不断提高, IGBT??榧际跻惨胫嗍视ΑN蠢碔GBT??榧际踅?芯片背面焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进。模块技术发展趋势:
无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技术;
内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件,不断提高IGBT??榈墓β拭芏?、集成度及智能度。
英飞凌??榇咏峁股辖玻琁GBT主要有三个发展方向:
1)IGBT纵向结构:非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;
2)IGBT栅极结构:平面栅机构、Trench沟槽型结构;
3)硅片加工工艺:外延生长技术、区熔硅单晶;
其发展趋势是:①降低损耗 ②降低生产成本
总功耗= 通态损耗 (与饱和电压 VCEsat有关)+开关损耗 (Eoff Eon)。同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。