英飞凌igbt?？榈氖褂米⒁馐孪?/h1>

日期：2025-12-12 09:07

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摘要： 由于英飞凌igbt?？槲狹OSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一?！∫虼耸褂弥幸⒁庖韵录傅悖? 1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸?？槎俗邮?，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 2. 在用导电材料连接?？榍俗邮?，在配线未接好之前请先不要接上?？? 3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。 ...

  
 

      由于英飞凌igbt?？?/a>为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一?！∫虼耸褂弥幸⒁庖韵录傅悖?/span>

      1. 在使用?？槭保×坎灰檬执ッ俗硬糠?，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;

      2. 在用导电材料连接?？榍俗邮?，在配线未接好之前请先不要接上?？?

      3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

      在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

      此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。

      在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

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